约翰·巴丁
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约翰·巴丁
1908年5月23日，美国著名物理学家约翰·巴丁出生在威斯康星州。他少年时代学习很用功，16岁考上大学，对物理方面的知识尤其热衷。巴丁曾两次获得诺贝尔物理学奖。
早年，巴丁和肖克莱、布拉坦一起，共同研究半导体锗和硅的物理性质。肖克莱于1939年提出“利用半导体而不用真空管的放大器在原则上可行的”。布拉坦和巴丁在开始研究晶体三极管时，采用了肖克莱的场效应概念，但实验屡遭失败。两人在总结经验教训的同时，巴丁又提出了表面态理论。巴丁将他的理论运用到了试验中，他在锗晶体上放置了一枚固定针和一枚探针，利用加上负电压的探针来检查固定针附近的电位分布。当巴丁将探针向固定针靠近到0.05毫米处时，突然发现，改变流过探针的电流能极大地影响流过固定针的电流。这一意外的发现，使他们意识到，这个装置可以起放大作用。
1947年12月23日，这是个普通却不平常的日子。这一天，他们三人经过反复研究，最后达成共识，巴丁和布拉顿把两根细金属丝置放在锗半导体晶体片的表面，其中一根接通电流，使另一根尽量靠近它，并加上微电流，这时，通过锗片的电流突然增大起来。这就是一种信号放大现象。利用这一现象，他们很快就研制出了一种新的半导体器件，这就是晶体管。从此，又大又笨又费电的电子管时代画上了句号，人们迎来了晶体管为元件的电子时代。
这个成果一公布，立刻轰动了电子学界，巴丁等被称为电子技术革命的杰出代表。由于这一贡献，巴丁和肖克莱、布拉坦一起获得了诺贝尔物理学奖。
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